罗姆于2010年在全球率先开始量产碳化硅MOSFET,其后于2012年开始量产全碳化硅功率模块,并于2015年又开始量产沟槽结构的碳化硅MOSFET(第3代),在碳化硅元器件技术的开发方面,罗姆一直保持先进地位。
2020年完成开发的新一代碳化硅MOSFET(第4代),改善了短路耐受时间,并实现了业界超低的导通电阻。在车载逆变器中采用该产品时,与使用IGBT时相比,电耗可以减少6%(按国际标准“WLTC燃料消耗量测试”计算),非常有助于延长电动汽车的续航里程。目前,除了裸芯片之外,还正在开发分立封装产品,在此次的共创项目中,罗姆计划开发并提供内置这种最新碳化硅MOSFET(第4代)的功率模块。
<支持信息>
罗姆在官网页面中,介绍了碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和碳化硅功率模块等碳化硅功率器件的概要,同时,还发布了用于快速评估和引入第4代SiC MOSFET的各种支持内容,欢迎浏览。
碳化硅功率元器件介绍页面:
https://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices
第4代SiC MOSFET相关的支持内容:
•概要介绍视频、产品视频
•应用指南(产品概要和评估信息、牵引逆变器、车载充电器、SMPS)
•设计模型(SPICE模型、PLECS模型、封装和Foot Print等的3D CAD数据)
•主要应用中的仿真电路(ROHM Solution Simulator)
•评估板信息